采用新的T型发射极技术的自对准InP／GaInAs单异质结双极晶体管的性能
文献类型：期刊论文
| 作者 | 齐鸣; 王润梅; 于进勇; 刘新宇 ; 苏树兵; 刘训春; 徐安怀
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:3页码:434-437 |
| 关键词 | 自对准发射极 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP／GaInAs单异质结双极晶体管．采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥等技术，成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件．该器件的共射直流增益达到170，残余电压约为0．2V，膝点电压仅为0．5V，而击穿电压超过了2V．器件的截止频率达到85GHz，最大振荡频率为72GHz，这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1426]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 齐鸣,王润梅,于进勇,等. 采用新的T型发射极技术的自对准InP／GaInAs单异质结双极晶体管的性能[J]. 半导体学报,2006,27(3):434-437. |
| APA | 齐鸣.,王润梅.,于进勇.,刘新宇.,苏树兵.,...&徐安怀.(2006).采用新的T型发射极技术的自对准InP／GaInAs单异质结双极晶体管的性能.半导体学报,27(3),434-437. |
| MLA | 齐鸣,et al."采用新的T型发射极技术的自对准InP／GaInAs单异质结双极晶体管的性能".半导体学报 27.3(2006):434-437. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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