高性能亚100nm栅长氮氧叠层栅介质难熔W／TiN金属栅电极CMOS器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林钢; 徐秋霞; 周华杰; 钟兴华 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:3页码:448-453 |
| 关键词 | 等效氧化层厚度 氮氧叠层栅介质 W／tin金属栅 非cmp平坦化 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 在国内首次将等效氧化层厚度为1.7nm的N／O叠层栅介质技术与W／TiN金属栅电极技术结合起来，用于栅长为亚100nm的金属栅CMOS器件的制备．为抑制短沟道效应并提高器件驱动能力，采用的关键技术主要包括：1.7nmN／O叠层栅介质，非CMP平坦化技术，T型难熔W／TiN金属叠层栅电极，新型重离子超陡倒掺杂沟道剖面技术以及双侧墙技术．成功地制备了具有良好的短沟道效应抑制能力和驱动能力的栅长为95nm的金属栅CMOS器件．在VDS=±1．5V，VGS=±1．8V下，nMOS和pMOS的饱和驱动电流分别为679和-327μA／μm．nMOS的亚阈值斜率，DIBL因子以及阈值电压分别为84．46mV／dec，34．76mV／V和0．26V．pMOS的亚阈值斜率，DIBL因子以及阈值电压分别为107．4mV／dec，54．46mV／V和0．27V．结果表明，这种结合技术可以完全消除B穿透现象和多晶硅耗尽效应，有效地降低栅隧穿漏电并提高器件可靠性． |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1428]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林钢,徐秋霞,周华杰,等. 高性能亚100nm栅长氮氧叠层栅介质难熔W／TiN金属栅电极CMOS器件[J]. 半导体学报,2006,27(3):448-453. |
| APA | 林钢,徐秋霞,周华杰,&钟兴华.(2006).高性能亚100nm栅长氮氧叠层栅介质难熔W／TiN金属栅电极CMOS器件.半导体学报,27(3),448-453. |
| MLA | 林钢,et al."高性能亚100nm栅长氮氧叠层栅介质难熔W／TiN金属栅电极CMOS器件".半导体学报 27.3(2006):448-453. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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