AlGaN／GaN HEMT二维静态模型与模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邵雪; 余志平; 谢常青 ; 马杰; 鲁净; 薛丽君; 夏洋; 刘明; 王燕
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:2页码:298-303 |
| 关键词 | Algan／gan高电子迁移率晶体管 二维模型与模拟 极化电荷 量子效应 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 考虑AlGaN／GaN材料的自发、压电极化效应和量子效应，通过泊松方程、薛定谔方程和流体力学方程组的数值自治求解方法，对AlGaN／GaN HEMT的二维静态模型与模拟问题进行了研究，得到了器件区域的导带图、二维电子气分布、电子温度特性、直流输出和转移特性，并对模拟结果进行了分析与讨论． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1430]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邵雪,余志平,谢常青,等. AlGaN／GaN HEMT二维静态模型与模拟[J]. 半导体学报,2006,27(2):298-303. |
| APA | 邵雪.,余志平.,谢常青.,马杰.,鲁净.,...&王燕.(2006).AlGaN／GaN HEMT二维静态模型与模拟.半导体学报,27(2),298-303. |
| MLA | 邵雪,et al."AlGaN／GaN HEMT二维静态模型与模拟".半导体学报 27.2(2006):298-303. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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