一种在砷化镓上形成欧姆接触的新型六层金属系统
文献类型：期刊论文
| 作者 | 和致经; 张海英 ; 李海鸥; 尹军舰; 叶甜春
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| 刊名 | 电子器件
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 29期号:1页码:9-11,109 |
| 关键词 | 膺配高电子迁移率晶体管 欧姆接触 退火 砷化镓 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 研究了在砷化镓上欧姆接触形成机理，并提出了一种新型的欧姆接触六层金属系统（Ni／Gre／Au,／Ge／Ni／Au）,在n型GaAs样品上实验了在380～460℃合金温度和50-120s合金时间下形成欧姆接触，在400℃、60s下典型的欧姆接触值为2．1×10^-7Ω·cm^2，同时合金后表面形貌光滑、平整。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1434]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 和致经,张海英,李海鸥,等. 一种在砷化镓上形成欧姆接触的新型六层金属系统[J]. 电子器件,2006,29(1):9-11,109. |
| APA | 和致经,张海英,李海鸥,尹军舰,&叶甜春.(2006).一种在砷化镓上形成欧姆接触的新型六层金属系统.电子器件,29(1),9-11,109. |
| MLA | 和致经,et al."一种在砷化镓上形成欧姆接触的新型六层金属系统".电子器件 29.1(2006):9-11,109. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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