4GHz 300 mW InGaP／GaAs HBT功率管研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 申华军 ; 樊宇伟; 葛霁; 刘新宇; 和致经; 吴德馨
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| 刊名 | 电子器件
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 29期号:1页码:12-14 |
| 关键词 | 咱对准 Gaas Ingap 功率异质结双极晶体管 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 通过采用发射极一基极金属自对准、发射极镇流电阻，电镀空气桥等工艺改善了器件的高频特性，提高了器件热稳定性与功率特性。当器件工作在AB类，工作频率为4GHz，集电极偏置电压为3．5V时，尺寸为16×（3μm×15μm）的功率管获得了最大输出功率为24．9dBm（309．0mW）、：功率增益为8．1dB的良好性能。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1436]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 申华军,樊宇伟,葛霁,等. 4GHz 300 mW InGaP／GaAs HBT功率管研制[J]. 电子器件,2006,29(1):12-14. |
| APA | 申华军,樊宇伟,葛霁,刘新宇,和致经,&吴德馨.(2006).4GHz 300 mW InGaP／GaAs HBT功率管研制.电子器件,29(1),12-14. |
| MLA | 申华军,et al."4GHz 300 mW InGaP／GaAs HBT功率管研制".电子器件 29.1(2006):12-14. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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