双层InGaAs沟道InP HEMT
文献类型：期刊论文
| 作者 | 尹军舰; 张海英; 刘训春; 牛洁斌; 陈立强; 汪宁 |
| 刊名 | 电子器件
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 29期号:1页码:15-17 |
| 关键词 | Hemt Ihp 双沟道 迁移率 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 阐述了一种新型的In0.80Ga0.02As／In0.053。Ga0.47 As双沟道InP HEMT结构。采用这种双沟道结构能够有效地提高沟道中电子的迁移率，减小碰撞电离对HEMT性能的影响;从而既显著提高了HEMT的截止频率，又可获得很高的直流输出电流．0．35μ栅长HEMT器件的电流增益截止频率达到120GHz,饱和电流密度、跨导达到790mA/mm、1 050mS／mm,栅极击穿电压和通态击穿电压分别为5V和3．2V。 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1438]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹军舰,张海英,刘训春,等. 双层InGaAs沟道InP HEMT[J]. 电子器件,2006,29(1):15-17. |
| APA | 尹军舰,张海英,刘训春,牛洁斌,陈立强,&汪宁.(2006).双层InGaAs沟道InP HEMT.电子器件,29(1),15-17. |
| MLA | 尹军舰,et al."双层InGaAs沟道InP HEMT".电子器件 29.1(2006):15-17. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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