双栅动态阈值SOI nMOSFET数值模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 毕津顺; 吴峻峰; 海潮和 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:1页码:35-40 |
| 关键词 | 双栅结构 动态阈值 全耗尽绝缘体上硅 Nmos场效应晶体管 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 提出了新型全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOS场效应晶体管，模拟并讨论了器件结构、相应的工艺技术和工作机理．对于nMOS器件，背栅n阱是通过剂量为3×10^13cm^-2，能量为250keV的磷离子注入实现的，并与n＋前栅多晶硅直接相连．这项技术与体硅工艺完全兼容．通过Tsuprem4和Medici模拟，发现全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOSFET保持了传统全耗尽S0I nMOSFET的优势，消除了反常亚阈值斜率和kink效应，同时较传统全耗尽SOI nMOSFET有更加优秀的电流驱动能力和跨导特性． |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1462]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 毕津顺,吴峻峰,海潮和. 双栅动态阈值SOI nMOSFET数值模拟[J]. 半导体学报,2006,27(1):35-40. |
| APA | 毕津顺,吴峻峰,&海潮和.(2006).双栅动态阈值SOI nMOSFET数值模拟.半导体学报,27(1),35-40. |
| MLA | 毕津顺,et al."双栅动态阈值SOI nMOSFET数值模拟".半导体学报 27.1(2006):35-40. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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