基于交叉结构的分子电子器件及其逻辑电路的研究进展
文献类型:期刊论文
| 作者 | 涂德钰; 王丛舜; 刘明
|
| 刊名 | 物理
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 35期号:1页码:63-68 |
| 关键词 | 交叉结构 纳米压印 逻辑电路 分子电子学 |
| ISSN号 | 0379-4148 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 随着大规模集成电路的特征尺寸进入到纳米级,传统的硅基集成电路技术面临挑战,新材料及新结构的研究成为热点,纳电子学分支之一的分子电子器件正在蓬勃发展一场效应晶体管(FET)和交叉结构是目前主要的分子电子器件的结构,而交叉结构有利于集成受到广泛关注。文章概述了基于交叉结构的分子纳米器件工作原理、工艺流程,并着重介绍了逻辑功能的实现方法及其研究进展,最后,总结了交叉结构的前景及所面临的困难。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1468] ![]() |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 涂德钰,王丛舜,刘明. 基于交叉结构的分子电子器件及其逻辑电路的研究进展[J]. 物理,2006,35(1):63-68. |
| APA | 涂德钰,王丛舜,&刘明.(2006).基于交叉结构的分子电子器件及其逻辑电路的研究进展.物理,35(1),63-68. |
| MLA | 涂德钰,et al."基于交叉结构的分子电子器件及其逻辑电路的研究进展".物理 35.1(2006):63-68. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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