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基于交叉结构的分子电子器件及其逻辑电路的研究进展

文献类型:期刊论文

作者涂德钰; 王丛舜; 刘明
刊名物理
出版日期2006
卷号35期号:1页码:63-68
关键词交叉结构 纳米压印 逻辑电路 分子电子学
ISSN号0379-4148
产权排序1
英文摘要

随着大规模集成电路的特征尺寸进入到纳米级,传统的硅基集成电路技术面临挑战,新材料及新结构的研究成为热点,纳电子学分支之一的分子电子器件正在蓬勃发展一场效应晶体管(FET)和交叉结构是目前主要的分子电子器件的结构,而交叉结构有利于集成受到广泛关注。文章概述了基于交叉结构的分子纳米器件工作原理、工艺流程,并着重介绍了逻辑功能的实现方法及其研究进展,最后,总结了交叉结构的前景及所面临的困难。

语种中文
公开日期2010-05-26
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1468]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
涂德钰,王丛舜,刘明. 基于交叉结构的分子电子器件及其逻辑电路的研究进展[J]. 物理,2006,35(1):63-68.
APA 涂德钰,王丛舜,&刘明.(2006).基于交叉结构的分子电子器件及其逻辑电路的研究进展.物理,35(1),63-68.
MLA 涂德钰,et al."基于交叉结构的分子电子器件及其逻辑电路的研究进展".物理 35.1(2006):63-68.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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