边缘注入对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴峻峰; 李多力; 毕津顺; 薛丽君; 海潮和 |
| 刊名 | 电子器件
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 29期号:4页码:996-999,1003 |
| 关键词 | 亚阈值泄漏电流 H型栅 Pmosfet |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 英文摘要 | 就不同边缘注入剂量对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响进行了研究。实验结果表明不足的边缘注入将会产生边缘背栅寄生晶体管，并且在高的背栅压下会产生明显的泄漏电流。分析表明尽管H型栅结构的器件在源和漏之间没有直接的边缘泄漏通路，但是在有源扩展区部分，由于LOCOS技术引起的硅膜减薄和剂量损失仍就促使了边缘背栅阈值电压的降低。 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1476]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴峻峰,李多力,毕津顺,等. 边缘注入对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响[J]. 电子器件,2006,29(4):996-999,1003. |
| APA | 吴峻峰,李多力,毕津顺,薛丽君,&海潮和.(2006).边缘注入对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响.电子器件,29(4),996-999,1003. |
| MLA | 吴峻峰,et al."边缘注入对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响".电子器件 29.4(2006):996-999,1003. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。