常压射频冷等离子体是近年来广受关注的一种新兴技术。在薄膜沉积方面已体现出其巨大潜力，但由于等离子体本身反应的复杂性，使其在薄膜沉积方面的机理至今尚未完全清楚。本文旨在从光谱分析的角度，研究常压射频冷等离子体TEOS工艺沉积二氧化硅薄膜。实验中我们检测到了Si和C—H的特征峰，表明二氧化硅是由TEOS在等离子体中分解而形成的。同时还研究了不同输入功率下Si和C—H的特征峰强度的变化情况，并发现其变化规律与生长速率有着很好的相似性。在温度为200℃的条件下所生成的SiO2薄膜的折射率在1．47—1．48的范围内。