一种1．8V24×10^-6/℃宽温度范围CMOS带隙基准电压源
文献类型：期刊论文
| 作者 | 金湘亮; 计峰; 陈杰; 马建斌 |
| 刊名 | 电子器件
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 29期号:3页码:697-700 |
| 关键词 | 带隙基准电压源 Cmos工艺 宽温度范围 电源抑制比 电路版图 传感器芯片 输出电压 温度系数 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 产权排序 | 4 |
| 英文摘要 | 阐述了一种输出电压为853mV的带隙基准电压源电路，该电路采用0．18肿标准CMOS工艺实现，可在1．8V的电源电压下工作，在-20℃到120℃温度范围内其温度系数为24×10^-6/℃。在频率低于10kHz时，电源抑制比保持在-66dB。电路版图的有效面积为0．022mm^2。该电路已成功应用于低功耗CMOS图象传感器芯片当中。 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1490]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金湘亮,计峰,陈杰,等. 一种1．8V24×10^-6/℃宽温度范围CMOS带隙基准电压源[J]. 电子器件,2006,29(3):697-700. |
| APA | 金湘亮,计峰,陈杰,&马建斌.(2006).一种1．8V24×10^-6/℃宽温度范围CMOS带隙基准电压源.电子器件,29(3),697-700. |
| MLA | 金湘亮,et al."一种1．8V24×10^-6/℃宽温度范围CMOS带隙基准电压源".电子器件 29.3(2006):697-700. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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