非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型
文献类型：期刊论文
| 作者 | 许剑; 钟传杰; 丁磊; 韩郑生
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| 刊名 | 电子器件
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| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 6 |
| 关键词 | 阈值电压 表面势 全耗尽soi Halo结构 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 其他题名 | 无 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 在考虑了隐埋层与硅层的二维效应的基础上提出非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型,该模型计算了在不同硅膜厚度,掺杂浓度,HALO区占沟道比例的条件下的阈值电压.模型结果与二维数值模拟软件MEDICI的模拟结果较好的吻合,该模型对HALO结构的物理特性和工艺设计有很好的指导意义. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1492]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许剑,钟传杰,丁磊,等. 非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型[J]. 电子器件,2007(6). |
| APA | 许剑,钟传杰,丁磊,&韩郑生.(2007).非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型.电子器件(6). |
| MLA | 许剑,et al."非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型".电子器件 .6(2007). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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