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一种改进结构的GaAs微波PIN二极管

文献类型:期刊论文

作者尹军舰; 杨浩; 吴茹菲; 张海英
刊名电子器件
出版日期2007
期号5
关键词微波 Pin二极管 砷化镓 新结构
ISSN号1005-9490
产权排序1
英文摘要设计并制作了高性能GaAs微波PIN二极管.分析了GaAsPIN二极管的结构对其性能的影响,并根据分析结果改进了GaAsPIN二极管的结构.制作了常见结构和改进结构的GaAsPIN二极管,比较了不同结构的GaAsPIN二极管的测试数据,从而验证了理论分析的结果.改进后的GaAsPIN二极管制作工艺更为简单,具有良好的高频特性,截止频率达到1520.5GHz.这种改进结构的GaAs微波PIN二极管在微波电路中具有良好的应用前景.
语种中文
公开日期2010-05-26
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1500]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
推荐引用方式
GB/T 7714
尹军舰,杨浩,吴茹菲,等. 一种改进结构的GaAs微波PIN二极管[J]. 电子器件,2007(5).
APA 尹军舰,杨浩,吴茹菲,&张海英.(2007).一种改进结构的GaAs微波PIN二极管.电子器件(5).
MLA 尹军舰,et al."一种改进结构的GaAs微波PIN二极管".电子器件 .5(2007).

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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