一种改进结构的GaAs微波PIN二极管
文献类型:期刊论文
作者 | 尹军舰; 杨浩; 吴茹菲; 张海英 |
刊名 | 电子器件
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出版日期 | 2007 |
期号 | 5 |
关键词 | 微波 Pin二极管 砷化镓 新结构 |
ISSN号 | 1005-9490 |
产权排序 | 1 |
英文摘要 | 设计并制作了高性能GaAs微波PIN二极管.分析了GaAsPIN二极管的结构对其性能的影响,并根据分析结果改进了GaAsPIN二极管的结构.制作了常见结构和改进结构的GaAsPIN二极管,比较了不同结构的GaAsPIN二极管的测试数据,从而验证了理论分析的结果.改进后的GaAsPIN二极管制作工艺更为简单,具有良好的高频特性,截止频率达到1520.5GHz.这种改进结构的GaAs微波PIN二极管在微波电路中具有良好的应用前景. |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-26 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1500] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹军舰,杨浩,吴茹菲,等. 一种改进结构的GaAs微波PIN二极管[J]. 电子器件,2007(5). |
APA | 尹军舰,杨浩,吴茹菲,&张海英.(2007).一种改进结构的GaAs微波PIN二极管.电子器件(5). |
MLA | 尹军舰,et al."一种改进结构的GaAs微波PIN二极管".电子器件 .5(2007). |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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