基极微空气桥和发射极空气桥的 InP/InGaAs HBT
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王润梅; 于进勇; 苏树兵; 刘新宇 ; 齐鸣; 徐安怀
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| 刊名 | 半 导 体 学 报
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 28期号:2页码:4,154_158 |
| 关键词 | Inp |
| ISSN号 | 0253_4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(sHBT).由于基极微空气桥和发射极空 气桥结构有效地减小了寄生,发射极尺寸为2m×12.5m 的InPHBT的截止频率达到了178GHz.这种器件对高速低功耗的应用非常关键,例如OEIC接收机以及模拟、数字转换器 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1512]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王润梅,于进勇,苏树兵,等. 基极微空气桥和发射极空气桥的 InP/InGaAs HBT[J]. 半 导 体 学 报,2007,28(2):4,154_158. |
| APA | 王润梅,于进勇,苏树兵,刘新宇,齐鸣,&徐安怀.(2007).基极微空气桥和发射极空气桥的 InP/InGaAs HBT.半 导 体 学 报,28(2),4,154_158. |
| MLA | 王润梅,et al."基极微空气桥和发射极空气桥的 InP/InGaAs HBT".半 导 体 学 报 28.2(2007):4,154_158. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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