高压nLDMOS漂移区的设计研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杜寰; 夏洋; 王文博; 宋李梅 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 13期号:6页码:5,635_639 |
| 关键词 | Resurf Ldmos 击穿电压 |
| ISSN号 | 1007—4252 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 讨论了漂移区长度及注入浓度等关键参数对于漏结击穿电压的影响,并详细分析了矩形版图结构的LDMOS器件中,远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响.分析了矩形版图结构的LDMOS器件中,远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响.运用RESURF技术对于高压LDMOS的漂移区进行设计和优化.研制出耐压170V的nLDMOSFET.并通过试验结果证明了分析的正确性。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1526]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杜寰,夏洋,王文博,等. 高压nLDMOS漂移区的设计研究[J]. 功能材料与器件学报,2007,13(6):5,635_639. |
| APA | 杜寰,夏洋,王文博,&宋李梅.(2007).高压nLDMOS漂移区的设计研究.功能材料与器件学报,13(6),5,635_639. |
| MLA | 杜寰,et al."高压nLDMOS漂移区的设计研究".功能材料与器件学报 13.6(2007):5,635_639. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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