0．8μm PDSOI CMOS器件和环振电路研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 海潮和; 毕津顺 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 32期号:6页码:4,490_493 |
| 关键词 | 部分耗尽绝缘体上硅 Cmos器件 环振电路 |
| ISSN号 | 1003_353X |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 研究了0.8m部分耗尽绝缘体上硅(P D SOI)CMOS器件和电路,开发出成套的0.8mPDSOICMOS工艺.经过工艺投片，获得了性能良好的器件和电路.其中，当工作电压为5V时,基于浮体SOICMOS技术的0.8m101级环振单级延时为49 .5ps;基于H型栅体引出SOICMOS技术的0.8 m101级环振单级延时为158ps 。同时，对PDSOICMOS器件的特性,如浮体效应、背栅特性、反常亚闽值斜率、击穿特性和输出电导变化等进行了讨论 。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1536]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 海潮和,毕津顺. 0．8μm PDSOI CMOS器件和环振电路研究[J]. 半导体技术,2007,32(6):4,490_493. |
| APA | 海潮和,&毕津顺.(2007).0．8μm PDSOI CMOS器件和环振电路研究.半导体技术,32(6),4,490_493. |
| MLA | 海潮和,et al."0．8μm PDSOI CMOS器件和环振电路研究".半导体技术 32.6(2007):4,490_493. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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