2.8~4.2GHzMMIC低噪声放大器
文献类型:期刊论文
作者 | 张健; 黄华; 陈晓哲; 刘亮; 陈立强; 张海英 |
刊名 | 固体电子学研究与进展
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出版日期 | 2007 |
卷号 | 27期号:2页码:4,203_206 |
关键词 | 低噪声放大器 |
ISSN号 | 1000_3819 |
产权排序 | 1 |
英文摘要 | 报道了基于0125 Λ m GaA s PHEM T 工艺的218~ 412 GHzMMIC低噪声放大器,详细介绍和分析了低噪声放大器的器件基础和设计原理,设计采用源极串联电感负反馈方法使输入阻抗共轭匹配和最小噪声匹配趋于一致,偏置网络采用自偏置栅压、单电源供电,并用ADS软件仿真。电路评估板选用Roger s RO 4350B, 在218~412GHz频段内测得增益大于20dB、增益平坦度小于215dB、噪声系数小于213dB、输入输出驻波比小于210 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-26 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1538] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张健,黄华,陈晓哲,等. 2.8~4.2GHzMMIC低噪声放大器[J]. 固体电子学研究与进展,2007,27(2):4,203_206. |
APA | 张健,黄华,陈晓哲,刘亮,陈立强,&张海英.(2007).2.8~4.2GHzMMIC低噪声放大器.固体电子学研究与进展,27(2),4,203_206. |
MLA | 张健,et al."2.8~4.2GHzMMIC低噪声放大器".固体电子学研究与进展 27.2(2007):4,203_206. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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