9Onm工艺SOC芯片多阈值低静态功耗设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李海军; 易兴勇; 陈杰 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 32期号:9页码:4,812_815 |
| 关键词 | 90nm工艺 多阈值 低静态功耗设计 |
| ISSN号 | 1003_353X |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 为了降低纳米级芯片设计中功耗主体之一的静态功耗,从产生静态功耗的来源出发,提出了使用多阂值技术降低静态功耗,给出利用多阈值技术的多种实现方法.以COSTARII芯片为实例,利用90nm多阈值单元库进行低静态功耗设计.结果表明,利用多阈值技术设计来降低功耗是可行的,并对各种实现方法进行比较分析,可作为低静态功耗设计的参考. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1540]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李海军,易兴勇,陈杰. 9Onm工艺SOC芯片多阈值低静态功耗设计[J]. 半导体技术,2007,32(9):4,812_815. |
| APA | 李海军,易兴勇,&陈杰.(2007).9Onm工艺SOC芯片多阈值低静态功耗设计.半导体技术,32(9),4,812_815. |
| MLA | 李海军,et al."9Onm工艺SOC芯片多阈值低静态功耗设计".半导体技术 32.9(2007):4,812_815. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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