C^＋注入a-SiNx：H的原子化学键合的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈大鹏 ; 陈超; 刘渝珍; 董立军; 王小波
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| 刊名 | 半 导 体 学 报
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 38期号:3页码:5,415_419 |
| 关键词 | C注入sicn |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a - S i N ：H薄膜进行c注入，能量为 3 0 k e V，剂量为 2×1 0 cm～．对c 注入 的 S i N 薄膜在 8 0 0 ~ C的温度下 ，进行 2 h的常规炉退火处 理．通过XPS，AES的测量得到 ，经800 ~ C高温退火处理后的薄膜形成了部分 SiCN 结构 ．用喇曼、XPS等分析 手段对薄 膜结构及 成分进行了测量与分析，得到不同退火温度对离子 注入形成 SiCN薄膜结构与成分 的影响，认为高温退火后薄膜中硅含量与SiCN 薄膜 的形成有重要的关系 ． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1550]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈大鹏,陈超,刘渝珍,等. C^＋注入a-SiNx：H的原子化学键合的研究[J]. 半 导 体 学 报,2007,38(3):5,415_419. |
| APA | 陈大鹏,陈超,刘渝珍,董立军,&王小波.(2007).C^＋注入a-SiNx：H的原子化学键合的研究.半 导 体 学 报,38(3),5,415_419. |
| MLA | 陈大鹏,et al."C^＋注入a-SiNx：H的原子化学键合的研究".半 导 体 学 报 38.3(2007):5,415_419. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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