总剂量辐照加固的 PDSOI CMOS64k静态随机存储器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周小茵; 郭天雷; 赵发展 ; 刘刚; 李多力; 李晶; 韩郑生; 海潮和; 赵立新
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 28期号:8页码:3,1184_1186 |
| 关键词 | 部分耗尽 Soi |
| ISSN号 | 0253—4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 在 国内首次使得 1.2 m部分 耗尽 S OI64k静态 随机存储 器的抗总剂量 能力 达到了 1×1 0 。r a d( S i ) ，其使用了SIMOX 晶圆．在一5 5～1 2 5 ~ C范围内，该存储器的数据读取时间几乎不变.在经过剂量为 1×1 0 。r a d( S i ) 的总剂量辐照后,该存储器的数据读取时间也几乎不变,静态功耗仅从辐 照前的0.65A变化为辐照后的0.8 mA，远远低于规定的10mA指标；动态功耗仅从辐照前的33 mA变化为辐照后的3 8.1 mA，远远低于规定的100mA指标 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1552]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周小茵,郭天雷,赵发展,等. 总剂量辐照加固的 PDSOI CMOS64k静态随机存储器[J]. 半导体学报,2007,28(8):3,1184_1186. |
| APA | 周小茵.,郭天雷.,赵发展.,刘刚.,李多力.,...&赵立新.(2007).总剂量辐照加固的 PDSOI CMOS64k静态随机存储器.半导体学报,28(8),3,1184_1186. |
| MLA | 周小茵,et al."总剂量辐照加固的 PDSOI CMOS64k静态随机存储器".半导体学报 28.8(2007):3,1184_1186. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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