HB T自热效应对功率放大器偏置电路的影响及补偿
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王显泰 ; 葛霁; 吴德馨; 刘新宇; 陈延湖; 申华军
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| 刊名 | 电 子 器 件
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 30期号:3页码:4，829_832 |
| 关键词 | 自热效应 |
| ISSN号 | 1005_9490 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 研究了GaAsBT的自热效应对功率放大器镜像电流源偏置电路性能的影响．HBT自热效应使得这种偏置电路的镜像精度和温度特性变差．利用HBT器件特有的集电极电流热电负反馈理论,通过优化基极偏置电阻的方法,对自热效应进行了有效补偿，偏置电路的电流镜像精度得到有效提高,偏置电流温度漂移由9.5 减小到0.5. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1558]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王显泰,葛霁,吴德馨,等. HB T自热效应对功率放大器偏置电路的影响及补偿[J]. 电 子 器 件,2007,30(3):4，829_832. |
| APA | 王显泰,葛霁,吴德馨,刘新宇,陈延湖,&申华军.(2007).HB T自热效应对功率放大器偏置电路的影响及补偿.电 子 器 件,30(3),4，829_832. |
| MLA | 王显泰,et al."HB T自热效应对功率放大器偏置电路的影响及补偿".电 子 器 件 30.3(2007):4，829_832. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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