Ka波段单片低噪声放大器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈立强; 杨浩; 黄华; 郝明丽; 张海英 |
| 刊名 | 电 子 器 件
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 30期号:4页码:4,1242_1245 |
| 关键词 | 微波单片集成电路 |
| ISSN号 | 1005_9490 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 利用 0.25m GaAsPHEMT工艺设计并制作了一种Ka波段低噪声放大器芯片.提出了适用于低噪声放大器的PHE MT器件特征． 电路采用四级级联结构．利用微带电路实现输入、输出和级间匹配．通过对电路增益、噪声系数和驻波比等指标进行多目标优化，确定了器件参数.该放大器测试结果为：26.5～3 6 GHz 频段内增益大于20d B ；多数测试点噪声系数小于3d B，其中34GHz 频点噪声仅为 1.94d B；芯片面积 2.88mm×1mm |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1560]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈立强,杨浩,黄华,等. Ka波段单片低噪声放大器[J]. 电 子 器 件,2007,30(4):4,1242_1245. |
| APA | 陈立强,杨浩,黄华,郝明丽,&张海英.(2007).Ka波段单片低噪声放大器.电 子 器 件,30(4),4,1242_1245. |
| MLA | 陈立强,et al."Ka波段单片低噪声放大器".电 子 器 件 30.4(2007):4,1242_1245. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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