MOSFET迁移率增强技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 胡爱斌; 徐秋霞 |
| 刊名 | 微 电 子 学
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 37期号:1页码:6,61_66 |
| 关键词 | Mos f e t 载流子迁移率 衬底诱生应力 工艺诱生应力 衬底晶向 |
| ISSN号 | 1004_3365 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 随着MOSFET特征尺寸的缩小,栽流子的迁移率降低已成为器件性能衰退的主要因素之一，迁移率增强技术因此获得了广泛的研究和应用。衬底诱生应力、工艺诱生应力和采用不同的 衬底晶向等三类方法都可以显著提高载流子的迁移率。文章综述了常见的几种迁移率增强技术。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1564]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡爱斌,徐秋霞. MOSFET迁移率增强技术[J]. 微 电 子 学,2007,37(1):6,61_66. |
| APA | 胡爱斌,&徐秋霞.(2007).MOSFET迁移率增强技术.微 电 子 学,37(1),6,61_66. |
| MLA | 胡爱斌,et al."MOSFET迁移率增强技术".微 电 子 学 37.1(2007):6,61_66. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。