PDSOICMOSSRAM 单元临界电荷的确定
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩郑生 ; 郭天雷; 赵发展; 海潮和
|
| 刊名 | 电 子 器 件
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 30期号:4页码:4,1133_1136 |
| 关键词 | 临界电荷 单粒子翻转 Pdsoi 寄生三极管 Sram |
| ISSN号 | 1005_9490 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | PDSOICMOSRAM单元的临界电荷(CriticalCharge)是判断SRAM单元发生单粒子翻转效应的依据．利用针对1.2tLm抗辐照工艺提取的 P D S OIMOSFET模型参数，通过HSPICE对SRAM6T存储单元的临界电荷进行了模拟，指出了电源电压及SOIMOEFET寄生三极管静态增益口对存储单元临界电荷的影响，并提出了在对PDSOICMOSSRAM进行单粒子辐照实验中，电源电压的最恶劣偏置状态应为电路的最高工作电压 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1566]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩郑生,郭天雷,赵发展,等. PDSOICMOSSRAM 单元临界电荷的确定[J]. 电 子 器 件,2007,30(4):4,1133_1136. |
| APA | 韩郑生,郭天雷,赵发展,&海潮和.(2007).PDSOICMOSSRAM 单元临界电荷的确定.电 子 器 件,30(4),4,1133_1136. |
| MLA | 韩郑生,et al."PDSOICMOSSRAM 单元临界电荷的确定".电 子 器 件 30.4(2007):4,1133_1136. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。