采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI 器件的窄沟道效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郭天雷; 宋文斌; 许高博 ; 韩郑生
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| 刊名 | 电 子 器 件
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 30期号:5页码:4,1535_1538 |
| 关键词 | 部分耗 Soi 鸟嘴效应 边缘电场效应 反向窄沟道效应 杂质重新分布 |
| ISSN号 | 1005_9490 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的 PD SOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2μmSOI器件的窄沟道效应跟体硅相似 ,主要是由边缘电场效应和“鸟嘴” 效应引起的;0.8μmSOI器件的阈值电压随着沟道变窄而减小,出现反向窄沟道效应.我们认为,主要是由于杂质的重新分布降低了沟道边缘的杂质浓度所引起的。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1576]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭天雷,宋文斌,许高博,等. 采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI 器件的窄沟道效应[J]. 电 子 器 件,2007,30(5):4,1535_1538. |
| APA | 郭天雷,宋文斌,许高博,&韩郑生.(2007).采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI 器件的窄沟道效应.电 子 器 件,30(5),4,1535_1538. |
| MLA | 郭天雷,et al."采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI 器件的窄沟道效应".电 子 器 件 30.5(2007):4,1535_1538. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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