常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐向宇; 赵玲利; 段小晋; 尹明会; 王守国 |
| 刊名 | 半 导 体 学 报
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 28期号:10页码:5,1615_1619 |
| 关键词 | 常压 射频 等离子体刻蚀 硅 |
| ISSN号 | 0253_ 4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 介绍一种新型的常压射频低温冷等离子放电设备，并用该设备进行硅刻蚀的工艺实验.研究了刻蚀硅的速随等离子体放电功率、气体流量以及衬底温度的变化规律，并得到了最大刻蚀速率为390nmmin．利用台阶仪、显微镜和扫描 电镜(SEM) 对刻蚀 效果进行 检测 与分析，证实了该设备对硅的浅刻蚀具有较好的均匀性和较高的各向异性。结果表明，该设备在常压下刻蚀硅，操作简单且不易对材料表面产生损伤。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1578]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐向宇,赵玲利,段小晋,等. 常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究[J]. 半 导 体 学 报,2007,28(10):5,1615_1619. |
| APA | 徐向宇,赵玲利,段小晋,尹明会,&王守国.(2007).常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究.半 导 体 学 报,28(10),5,1615_1619. |
| MLA | 徐向宇,et al."常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究".半 导 体 学 报 28.10(2007):5,1615_1619. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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