发射极空气桥 InGaP／GaAsHBT的DC和RF特性分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴德馨 ; 申华军; 葛霁; 杨威; 陈延湖; 王显泰; 刘新宇
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| 刊名 | 电 子 器 件
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 30期号:1页码:4,1_4 |
| 关键词 | Ingap／gaas发射极空气桥互连 |
| ISSN号 | 1005_9490 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 为抑制电流增益崩塌，提高HBT的热稳定性,研制了发射极空气桥互连结构的HB T晶体管，应用ICCAP提取参数建立VBIC模型，结合模型参数对三种不同结构 HBT的DC和RF特性进行比较分析．与引线爬坡互连结构相比，发射极空气桥互连结构 HBT的热阻得到改善，热稳定性提高；与发射极电阻镇流方式相比， 发射极空气桥HB T的截止频率( ，T ) 相同，最大振荡频率( ) 提高，最大稳定功率增益( MS G) 高出约5dB |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1584]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴德馨,申华军,葛霁,等. 发射极空气桥 InGaP／GaAsHBT的DC和RF特性分析[J]. 电 子 器 件,2007,30(1):4,1_4. |
| APA | 吴德馨.,申华军.,葛霁.,杨威.,陈延湖.,...&刘新宇.(2007).发射极空气桥 InGaP／GaAsHBT的DC和RF特性分析.电 子 器 件,30(1),4,1_4. |
| MLA | 吴德馨,et al."发射极空气桥 InGaP／GaAsHBT的DC和RF特性分析".电 子 器 件 30.1(2007):4,1_4. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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