下一代栅材料—难熔金属
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周华杰; 徐秋霞 |
| 刊名 | 电子器件
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 2 |
| 关键词 | 金属栅 难熔金属 多晶硅栅耗尽效应 硼穿通 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 随着晶体管尺寸的缩小,传统的多晶硅栅存在的多晶硅栅耗尽效应、过高的栅电阻和PMOS管的硼穿透效应成为晶体管尺寸进一步缩小的障碍.而难熔金属栅则被认为是最有希望的替代者.它可以很好的解决多晶硅栅面临的这些问题.本文主要介绍了选择难熔金属栅材料所需考虑的因素以及五种主要的制备工艺,并对比了它们各自的优缺点. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1592]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周华杰,徐秋霞. 下一代栅材料—难熔金属[J]. 电子器件,2007(2). |
| APA | 周华杰,&徐秋霞.(2007).下一代栅材料—难熔金属.电子器件(2). |
| MLA | 周华杰,et al."下一代栅材料—难熔金属".电子器件 .2(2007). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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