功率增益截止频率为183GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张健; 刘训春; 牛洁斌; 刘亮; 张海英; 尹军舰; 李潇; 杨浩; 徐静波; 宋雨竹 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 28期号:2页码:4,1860_1863 |
| 关键词 | 最大振荡频率/功率增益截止频率 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率（fmax）为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As HEMT。该fmax为国内HEMT器件最高值，还报道了器件的结构、制备工艺以及器件的直流和高频特性 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1606]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张健,刘训春,牛洁斌,等. 功率增益截止频率为183GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs[J]. 半导体学报,2007,28(2):4,1860_1863. |
| APA | 张健.,刘训春.,牛洁斌.,刘亮.,张海英.,...&宋雨竹.(2007).功率增益截止频率为183GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs.半导体学报,28(2),4,1860_1863. |
| MLA | 张健,et al."功率增益截止频率为183GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs".半导体学报 28.2(2007):4,1860_1863. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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