截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐静波; 刘亮; 张海英; 尹军舰; 刘训春; 李潇; 牛洁斌; 宋雨竹 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 28期号:12页码:4,1864_1867 |
| 关键词 | 截止频率 高电子迁移率晶体管 Ingaas/inalas Inp |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管，这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管，器件直流特性也很优异：跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm，文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1608]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐静波,刘亮,张海英,等. 截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管[J]. 半导体学报,2007,28(12):4,1864_1867. |
| APA | 徐静波.,刘亮.,张海英.,尹军舰.,刘训春.,...&宋雨竹.(2007).截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.半导体学报,28(12),4,1864_1867. |
| MLA | 徐静波,et al."截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管".半导体学报 28.12(2007):4,1864_1867. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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