一种InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘训春; 刘亮; 张海英; 尹军舰; 李潇; 徐静波; 宋雨竹 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 28期号:11页码:6,1706_1711 |
| 关键词 | Inp ingaas／Inp 复合沟道 高电子迁移率晶体 模拟 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 采用一种新方法对InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了模拟．该方法通过流体力学模型和密度梯度模型的联合求解，得到了沟道内的电子密度分布．与一些传统方法相比，该方法收敛性更好，速度更快，且同样适用于其他类型高电子迁移率晶体管器件的模拟．利用仿真对InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了深入研究． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1612]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘训春,刘亮,张海英,等. 一种InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法[J]. 半导体学报,2007,28(11):6,1706_1711. |
| APA | 刘训春.,刘亮.,张海英.,尹军舰.,李潇.,...&宋雨竹.(2007).一种InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法.半导体学报,28(11),6,1706_1711. |
| MLA | 刘训春,et al."一种InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法".半导体学报 28.11(2007):6,1706_1711. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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