新型低压超结功率VDMOS器件数值模拟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陆江; 蔡小五; 海潮和; 王立新 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 13期号:5页码:4,503_506 |
| 关键词 | Vdmos 超结 击穿电压 导通电阻 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 由于“Silicon Limit”的限制,VDMOS的导通电阻不能很大程度的降低,为了突破这一极限,超结VDMOS结构被采用,本文采用氮化硅硬掩模和高能硼注入在n型外延层中形成交替的p型区从而形成超结结构。利用ISE-TCAD模拟器进行工艺器件模拟,模拟结果表明击穿电压最大有40%的提高,同时导通电阻也有明显的降低。采用高能注入形成超结VDMOS为减小VDMOS导通电阻提供了一种切实有效的方法。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1614]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆江,蔡小五,海潮和,等. 新型低压超结功率VDMOS器件数值模拟[J]. 功能材料与器件学报,2007,13(5):4,503_506. |
| APA | 陆江,蔡小五,海潮和,&王立新.(2007).新型低压超结功率VDMOS器件数值模拟.功能材料与器件学报,13(5),4,503_506. |
| MLA | 陆江,et al."新型低压超结功率VDMOS器件数值模拟".功能材料与器件学报 13.5(2007):4,503_506. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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