应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐秋霞; 段晓峰; 刘海华; 刘邦贵 |
| 刊名 | 电子显微学报
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 26期号:4页码:10,312_321 |
| 关键词 | 应变硅 金属氧化物半导体场效应晶体 管 大角度会聚束电子衍射 |
| ISSN号 | 1000-6281 |
| 产权排序 | 2 |
| 英文摘要 | 本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管（PMOSFET）沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征。由于源和漏极区预非晶化锗离子注入工艺在源漏区引入了大量的缺陷,导致在截面电镜样品中存在切应变。利用大角度会聚束电子衍射（LACBED）测量了沟道区的压应变和切应变,并讨论了沟道区产生巨大压应变（2%以上）的原因。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1620]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐秋霞,段晓峰,刘海华,等. 应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究[J]. 电子显微学报,2007,26(4):10,312_321. |
| APA | 徐秋霞,段晓峰,刘海华,&刘邦贵.(2007).应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究.电子显微学报,26(4),10,312_321. |
| MLA | 徐秋霞,et al."应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究".电子显微学报 26.4(2007):10,312_321. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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