4．2GHz 1．8V CMOS LC压控振荡器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 叶青; 赵坤 ; 满家汉; 叶甜春
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| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 27期号:3页码:5,343_346,385 |
| 关键词 | 压控振荡器 片上电感 相位噪声模型 锁相环 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 基于Hajimiri提出的VCO相位噪声模型，分析了差分LCVCO电路参数对于相位噪声的影响。根据前面的分析，详细介绍了LCVCO电路的设计方法：包括高Q值片上电感的设计、变容MOS管的设计以及尾电流的选取。采用SMIC0．18μm 1P6M、n阱、混合信号CMOS工艺设计了一款4．2GHz 1．8V LC VCO。测试结果表明：当输出频率为4．239GHz时，频偏1MHz处的相位噪声为-101dBc／Hz，频率调节范围为240MHz。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1622]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶青,赵坤,满家汉,等. 4．2GHz 1．8V CMOS LC压控振荡器[J]. 固体电子学研究与进展,2007,27(3):5,343_346,385. |
| APA | 叶青,赵坤,满家汉,&叶甜春.(2007).4．2GHz 1．8V CMOS LC压控振荡器.固体电子学研究与进展,27(3),5,343_346,385. |
| MLA | 叶青,et al."4．2GHz 1．8V CMOS LC压控振荡器".固体电子学研究与进展 27.3(2007):5,343_346,385. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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