N-LDMOS热载流子注入效应的分析和优化
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王晓慧; 王文博; 宋李梅; 杜寰; 孙贵鹏 |
| 刊名 | 电子器件
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 30期号:4页码:4,1129_1132 |
| 关键词 | Ldmos 热载流子注入 可靠性 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 研究了一种N-LDMOS器件的热载流子注入效应,分析了热载流子效应产生的机理、对器件性能以及可靠性的影响,提出了改进方法.为了降低此器件的热载流子注入效应,我们利用华润上华公司提供的ISE软件对N-LDMOS高压工艺进行模拟,根据模拟结果调整了器件结构,通过增大器件的场板长度、漂移区长度以及增加N阱与有源区的交叠长度等措施,使得相同偏置条件下,表征热载流子注入强度的物理量——器件衬底电流降为改进前的1/10,显著改善了该器件的热载流子注入效应. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1628]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓慧,王文博,宋李梅,等. N-LDMOS热载流子注入效应的分析和优化[J]. 电子器件,2007,30(4):4,1129_1132. |
| APA | 王晓慧,王文博,宋李梅,杜寰,&孙贵鹏.(2007).N-LDMOS热载流子注入效应的分析和优化.电子器件,30(4),4,1129_1132. |
| MLA | 王晓慧,et al."N-LDMOS热载流子注入效应的分析和优化".电子器件 30.4(2007):4,1129_1132. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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