先进的Hf基高k栅介质研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐秋霞; 许高博 |
| 刊名 | 电子器件
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 30期号:4页码:5,1194_1199 |
| 关键词 | 高介电常数 Hfo2 Hfon Hfsion Hftaon |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 英文摘要 | 随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,SiO2作为栅介质材料已不能满足集成电路技术高速发展的需求,利用高k栅介质取代SiO2栅介质成为微电子技术发展的必然.但是,被认为最有希望替代SiO2的HfO2由于结晶温度低等缺点,很难集成于现有的CMOS工艺中,新型Hf基高k栅介质的研究成为当务之急.据报道,在HfO2中引入N、Si、Al和Ta可大大改善其热力学稳定性,由此形成的高k栅介质具有优良的电学特性,基本上满足器件的要求.本文综述了这类先进的Hf基高k栅介质材料的最新研究进展 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1630]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐秋霞,许高博. 先进的Hf基高k栅介质研究进展[J]. 电子器件,2007,30(4):5,1194_1199. |
| APA | 徐秋霞,&许高博.(2007).先进的Hf基高k栅介质研究进展.电子器件,30(4),5,1194_1199. |
| MLA | 徐秋霞,et al."先进的Hf基高k栅介质研究进展".电子器件 30.4(2007):5,1194_1199. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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