新型光电探测器及其填充系数的确定
文献类型：期刊论文
| 作者 | 胡磊; 曾云; 金湘亮; 王太宏 |
| 刊名 | 光电工程
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 34期号:7页码:4,76_79 |
| 关键词 | 光电探测器 Cmos图像传感器 填充系数 |
| ISSN号 | 1003-501X |
| 英文摘要 | 详细分析了用于CMOS图像传感器的新型半导体光电器件的工作原理和光电特性，建立解析模型确定由其构成的像素单元的填充系数，优化光电响应特性。由于引入PN注入结，新型光电器件沟道电流同时存在电子电流和空穴电流，提高了器件的响应灵敏度，避免了大的寄生电容，提高了信噪比。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1642]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡磊,曾云,金湘亮,等. 新型光电探测器及其填充系数的确定[J]. 光电工程,2007,34(7):4,76_79. |
| APA | 胡磊,曾云,金湘亮,&王太宏.(2007).新型光电探测器及其填充系数的确定.光电工程,34(7),4,76_79. |
| MLA | 胡磊,et al."新型光电探测器及其填充系数的确定".光电工程 34.7(2007):4,76_79. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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