击穿18V的高压LDDPMOS器件的研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩郑生 ; 王晓慧; 杜寰
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| 刊名 | 微电子学与计算机
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 24期号:7页码:4,72_75 |
| 关键词 | 高压pmos器件 轻掺杂漏 击穿电压 器件模拟 |
| ISSN号 | 1000-7180 |
| 英文摘要 | 从Synopsys TCAD的软件模拟出发，基于0．8μm标准CMOS工艺，通过重新设计高压N阱，以及优化器件LDD区域注入剂量，成功研制了栅长0．8μm击穿电压达到18V的LDD结构的高压PMOS器件，并实现了低高压工艺的兼容。研制的宽长比为18／0．8的PMOS器件截止电流在500pA以下，阚值电压为-1．5V，-10V栅压下饱和电流为-5．6mA，击穿电压为-19V。器件主要优点是关态漏电小,且器件尺寸不增加,不影响集成度，满足微显示像素驱动电路对高压器件的尺寸要求，另外与其他高压器件相比更容易实现，节约了成本。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1648]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩郑生,王晓慧,杜寰. 击穿18V的高压LDDPMOS器件的研制[J]. 微电子学与计算机,2007,24(7):4,72_75. |
| APA | 韩郑生,王晓慧,&杜寰.(2007).击穿18V的高压LDDPMOS器件的研制.微电子学与计算机,24(7),4,72_75. |
| MLA | 韩郑生,et al."击穿18V的高压LDDPMOS器件的研制".微电子学与计算机 24.7(2007):4,72_75. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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