随着图形特征尺寸的不断缩小、集成度的不断提高，集成电路已进入纳米系统芯片（SOC）阶段，摩尔定律依靠器件尺寸缩小得以延续的方式正面临着众多挑战。分析了纳米SOC中影响性能和良品率的关键效应及相应的措施。从半导体产业链的发展演变指出了可制造性设计（DFM）是纳米SOC阶段提高可制造性与良品率的解决方案。与光刻性能相关的分辨率增强技术（KET）是推动DFM发展的第一波浪潮，下一代的DFM将更注重良品率的受限分析及设计规则的综合优化。综述了DFM产生的历史及发展的现状，并对其前景进行了展望。