一种噪声系数为1.4dB的S波段MMIC低噪声放大器
文献类型:期刊论文
作者 | 尹军舰; 黄华; 张海英; 叶甜春; 杨浩 |
刊名 | 电子器件 |
出版日期 | 2007 |
卷号 | 30期号:3页码:4,808_810,814 |
ISSN号 | 1005-9490 |
关键词 | 微波单片集成电路 低噪声放大器 赝配高电子迁移率晶体管 S波段 |
英文摘要 | 报道了一种可直接应用于无线接收系统前端的具有较低噪声系数和较高相关增益的MMIC低噪声放大器,该低噪声放大器采用0.50μm GaAs PHEMT工艺技术制作.电路设计采用两级级联结构,为减小电路面积采用集总参数元件匹配电路,并用ADS软件仿真无源元件寄生效应.电路测试结果表明:在2.8~3.5GHz频段内噪声系数低于1.4dB,同时相关增益大于25dB,增益平坦度小于0.5dB,输入输出反射损耗小于-10dB. |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-26 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1654] |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹军舰,黄华,张海英,等. 一种噪声系数为1.4dB的S波段MMIC低噪声放大器[J]. 电子器件,2007,30(3):4,808_810,814. |
APA | 尹军舰,黄华,张海英,叶甜春,&杨浩.(2007).一种噪声系数为1.4dB的S波段MMIC低噪声放大器.电子器件,30(3),4,808_810,814. |
MLA | 尹军舰,et al."一种噪声系数为1.4dB的S波段MMIC低噪声放大器".电子器件 30.3(2007):4,808_810,814. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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