新型多栅全耗尽SOI器件研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 海潮和; 周华杰; 蔡小五 |
| 刊名 | 电子器件
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 30期号:3页码:5,841_845 |
| 关键词 | 全耗尽 Soi 多栅 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 英文摘要 | 随着器件尺寸的不断缩小,对更大驱动电流和更有效抑制短沟道效应器件的研制成为研究的热点,SOI多栅全耗尽器件由于对沟道更好控制能力能够有效地解决尺寸缩小带来的短沟道效应问题.本文主要介绍SOI/MOSFET单栅、平面双栅、FinFET、三栅、环绕栅、G4-FET等新型多栅全耗尽SOI器件的研究进展. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1656]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 海潮和,周华杰,蔡小五. 新型多栅全耗尽SOI器件研究进展[J]. 电子器件,2007,30(3):5,841_845. |
| APA | 海潮和,周华杰,&蔡小五.(2007).新型多栅全耗尽SOI器件研究进展.电子器件,30(3),5,841_845. |
| MLA | 海潮和,et al."新型多栅全耗尽SOI器件研究进展".电子器件 30.3(2007):5,841_845. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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