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纳米晶非挥发性存储器研究进展

文献类型:期刊论文

作者管伟华; 刘琦; 李志刚; 龙世兵; 刘明; 贾锐; 胡媛
刊名微纳电子技术
出版日期2007
卷号44期号:5页码:6,225_230
关键词纳米晶 非挥发性存储器 分立电荷存储 纳米晶存储器
ISSN号1671-4776
英文摘要

介绍了纳米晶非挥发性存储器的发展状况和基本工作原理,比较了纳米晶非挥发性存储器所涉及到的各种不同的电荷输运机制,系统介绍了纳米晶非挥发性存储器在纳米晶材料设计纳米晶晶体生长控制方法、隧穿/控制介质层工程和新型存储器器件结构等方面的一些最新研究进展,对纳米晶非挥发性存储器的研究趋势进行了展望。

语种中文
公开日期2010-05-26
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1666]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
管伟华,刘琦,李志刚,等. 纳米晶非挥发性存储器研究进展[J]. 微纳电子技术,2007,44(5):6,225_230.
APA 管伟华.,刘琦.,李志刚.,龙世兵.,刘明.,...&胡媛.(2007).纳米晶非挥发性存储器研究进展.微纳电子技术,44(5),6,225_230.
MLA 管伟华,et al."纳米晶非挥发性存储器研究进展".微纳电子技术 44.5(2007):6,225_230.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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