全耗尽SOIMOSFET阈值电压解析模型
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩郑生 ; 李瑞贞; 李多力; 杜寰; 海潮和
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| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 13期号:1页码:5,73_77 |
| 关键词 | 全耗尽soi Mosfet 阈值电压 模型 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 英文摘要 | 提出了一种简化的全耗尽SOIMOSFET闽值电压解析模型。该模型物理意义明确，形式简单，不需要非常复杂的计算。通过在不同条件下将本文的模拟结果和MEDICI模拟结果进行对比，验证了本模型的精确性。因此本模型对于器件物理特性的研究和工艺设计有很好的指导意义。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1690]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩郑生,李瑞贞,李多力,等. 全耗尽SOIMOSFET阈值电压解析模型[J]. 功能材料与器件学报,2007,13(1):5,73_77. |
| APA | 韩郑生,李瑞贞,李多力,杜寰,&海潮和.(2007).全耗尽SOIMOSFET阈值电压解析模型.功能材料与器件学报,13(1),5,73_77. |
| MLA | 韩郑生,et al."全耗尽SOIMOSFET阈值电压解析模型".功能材料与器件学报 13.1(2007):5,73_77. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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