高增益调节系数硅单电子晶体管的输运特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 濮林; 龙世兵 ; 刘明; 郑有炓; 陈杰智; 施毅
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 28期号:1页码:4,69_72 |
| 关键词 | 单电子晶体管 库仑阻塞 库仑振荡 负微分电导 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 为了增强单电子晶体管中栅极和沟道量子点之间的耦合度，提高增益调节系数，发展了结合预制控制栅、电子束直写、各向异性腐蚀和热氧化的制备工艺．在室温下对器件的电学特性进行测量，观察到了典型的库仑振荡效应和负微分电导效应．基于量子点能级分立模型，分析了器件的输运原理，重点研究了强耦合作用对器件输运性质的影响．研究表明，通过控制量子点的热氧化时间，将器件量子点尺寸减小到7．6nm，增益调节系数提高到0．84． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1694]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 濮林,龙世兵,刘明,等. 高增益调节系数硅单电子晶体管的输运特性[J]. 半导体学报,2007,28(1):4,69_72. |
| APA | 濮林,龙世兵,刘明,郑有炓,陈杰智,&施毅.(2007).高增益调节系数硅单电子晶体管的输运特性.半导体学报,28(1),4,69_72. |
| MLA | 濮林,et al."高增益调节系数硅单电子晶体管的输运特性".半导体学报 28.1(2007):4,69_72. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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