掺杂AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘果果 ; 和致经; 姚小江; 刘丹; 陈晓娟; 庞磊; 刘键; 刘新宇; 李诚瞻
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| 刊名 | 电子器件
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| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 5 |
| 关键词 | Gan Hemt 电流崩塌效应 掺杂 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 对不同掺杂浓度AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究掺杂AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应.实验表明,掺杂AlGaN势垒层对器件电流崩塌效应有明显的抑制作用,随着掺杂浓度增加,掺杂对电流崩塌效应的抑制作用越显著.这是因为对于掺杂AlGaN/GaN HEMT,表面态俘获电子将耗尽掺杂AlGaN层,从而能对2DEG起屏蔽作用.AlGaN体内杂质电离后留下正电荷也能进一步屏蔽表面态对沟道2DEG的影响. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1716]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘果果,和致经,姚小江,等. 掺杂AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究[J]. 电子器件,2007(5). |
| APA | 刘果果.,和致经.,姚小江.,刘丹.,陈晓娟.,...&李诚瞻.(2007).掺杂AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究.电子器件(5). |
| MLA | 刘果果,et al."掺杂AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究".电子器件 .5(2007). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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