超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 钟兴华; 徐秋霞 |
| 刊名 | 电子器件
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 2 |
| 关键词 | 击穿 Si3n4/sio2（n/o）叠层 可靠性 应力诱生漏电流（silc) Tddb特性 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 实验成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的Nitride/Oxynitride(N/O)叠层栅介质难熔金属栅电极PMOS电容并对其进行了可靠性研究.实验结果表明相对于纯氧栅介质而言,N/O叠层栅介质具有更好的抗击穿特性,应力诱生漏电特性以及TDDB特性.进一步研究发现具有更薄EOT的难熔金属栅电极PMOS电容在TDDB特性以及寿命等方面均优于多晶硅栅电极的相应结构. |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1718]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟兴华,徐秋霞. 超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究[J]. 电子器件,2007(2). |
| APA | 钟兴华,&徐秋霞.(2007).超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究.电子器件(2). |
| MLA | 钟兴华,et al."超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质可靠性研究".电子器件 .2(2007). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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