单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐静波 ; 张海英; 尹军舰; 刘亮; 李潇; 叶甜春; 黎明
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 28期号:8页码:4,1424_1427 |
| 关键词 | 单片集成 增强型 耗尽型 赝配高电子迁移率晶体管 阈值电压 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/In-GaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示：增强型（耗尽型）PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V（-0.5V）,330mS/mm（260mS/mm）,245mA/mm（255mA/mm）,14.9GHz（14.5GHz）和18GHz（20GHz）.利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器,电源电压为1V,输入0.15V电压时,输出电压为0.98V;输入0.3V电压时,输出电压为0.18V. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1720]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐静波,张海英,尹军舰,等. 单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管[J]. 半导体学报,2007,28(8):4,1424_1427. |
| APA | 徐静波.,张海英.,尹军舰.,刘亮.,李潇.,...&黎明.(2007).单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管.半导体学报,28(8),4,1424_1427. |
| MLA | 徐静波,et al."单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管".半导体学报 28.8(2007):4,1424_1427. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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