基于国产外延材料的SiC基AlGaN/GaN HEMT器件研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘新宇 ; 李诚瞻; 陈晓娟; 罗卫军
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| 刊名 | 电子器件
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 30期号:3页码:4,738_740 |
| 关键词 | Sic Algan/gan Hemt 自热效应 外延材料 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 英文摘要 | 本文报道了基于国产外延材料的SiC基Al GaN/GaN高迁移率晶体管（HEMT）器件的研制,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术（MOCVD）生长,器件栅长0.8μm,输出电流密度达到0.94A/mm,在5.4GHz下,单指型管芯获得了3.1W/mm的连续波测试功率,与蓝宝石衬底的器件相比,由于自热效应的有效改善,输出功率能力大大提高. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1724]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘新宇,李诚瞻,陈晓娟,等. 基于国产外延材料的SiC基AlGaN/GaN HEMT器件研制[J]. 电子器件,2007,30(3):4,738_740. |
| APA | 刘新宇,李诚瞻,陈晓娟,&罗卫军.(2007).基于国产外延材料的SiC基AlGaN/GaN HEMT器件研制.电子器件,30(3),4,738_740. |
| MLA | 刘新宇,et al."基于国产外延材料的SiC基AlGaN/GaN HEMT器件研制".电子器件 30.3(2007):4,738_740. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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