偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 鲁净; 禡龙; 刘明 ; 王燕; 薛丽君; 夏洋; 谢常青
|
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 2 |
| 关键词 | 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 其他题名 | 无 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 采用泊松方程-薛定谔方程-流体力学方程组自洽求解的方法,对偏栅AlGaN/GaN HEMT器件的电学特性进行了二维模拟。通过与传统正栅器件的模拟结果对比分析,可以看出,偏栅结构除了可以提高器件的击穿电压外,还可以提高直流输出电流和跨导,对输出特性和转移特性均有一定的提高。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1726]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鲁净,禡龙,刘明,等. 偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析[J]. 固体电子学研究与进展,2007(2). |
| APA | 鲁净.,禡龙.,刘明.,王燕.,薛丽君.,...&谢常青.(2007).偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析.固体电子学研究与进展(2). |
| MLA | 鲁净,et al."偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析".固体电子学研究与进展 .2(2007). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。