动态阈值nMOSFET阈值电压随温度退化特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 海潮和; 毕津顺 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 28期号:4页码:5，475-478,500 |
| 关键词 | 温度退化特性 动态阈值 N型场效应晶体管 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 英文摘要 | 对动态阈值nMOSFET阈值电压随温度退化特性进行了一阶近似推导和分析。动态阈值nMOSFET较之普通nMOSFET，降低了阈值电压温度特性对温度、沟道掺杂浓度及栅氧厚度等因素的敏感程度。讨论了动态阈值nMOSFET优秀阈值电压温度特性的内在机理。动态阈值nMOSFET优秀的阈值电压随温度退化特性使之非常适合工作于高温恶劣环境。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1730]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 海潮和,毕津顺. 动态阈值nMOSFET阈值电压随温度退化特性[J]. 固体电子学研究与进展,2008,28(4):5，475-478,500. |
| APA | 海潮和,&毕津顺.(2008).动态阈值nMOSFET阈值电压随温度退化特性.固体电子学研究与进展,28(4),5，475-478,500. |
| MLA | 海潮和,et al."动态阈值nMOSFET阈值电压随温度退化特性".固体电子学研究与进展 28.4(2008):5，475-478,500. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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